| 반도체소자공학 : 반도체소자 솔루션 Donald A. Neamen 이진구 공역 / Mcgr | ||
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반도체소자공학 : 반도체소자 솔루션 Donald A. Neamen 이진구 공역 / Mcgraw Hill 다운 반도체소자공학 : 반도체소자 솔루션 Donald A. Neamen 이진구 공역 / Mcgraw Hill 반도체 소자공학 , Donald A. Neamen 이진구 공역 / Mcgraw Hill Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, 3rd edition Solutions Manual Chapter 1 Problem Solutions Chapter 1 Problem Solutions 1.1 (a) fcc: 8 corner atoms × 1/8 = 1 atom 6 face atoms × ½ = 3 atoms Total of 4 atoms per unit cell (b) bcc: 8 corner atoms × 1/8 = 1 atom 1 enclosed atom = 1 atom Total of 2 atoms per unit cell (c) Diamond: 8 corner atoms × 1/8 = 1 atom 6 face atoms × ½ = 3 atoms 4 enclosed atoms = 4 atoms Total of 8 atoms per unit cell 1.2 (a) 4 Ga atoms per unit cell Density = 4 atoms per cell, so atom vol. = 4 Then 4 Ratio = FG 4πr IJ H3K 3 16 2 r (c) Body-centered cubic lattice 4 d = 4r = a 3 ⇒ a = r 3 Unit cell vol. = a = 3 FG 4πr IJ H 3 K × 100% ⇒ 3 3 Ratio = 74% F 4 rI H 3K 3 2 atoms per cell, so atom vol. = 2 Then FG 4πr IJ H3K 3 b 4 ?8 5.65 x10 g 3 ⇒ 22 ?3 Density of Ga = 2.22 x10 cm 22 4 As atoms per unit cell, so that Density of As = 2.22 x10 cm (b) 8 Ge atoms per unit cell 8 ⇒ 자료출처 : http://www.allreport.co.kr/search/detail.asp?pk=11040413&sid=knp868group1&key=%B9%DD%B5%B5%C3%BC%BC%D2%C0%DA%B0%F8%C7%D0 [문서정보] 문서분량 : 150 Page 파일종류 : PDF 파일 자료제목 : 파일이름 : 반도체소자_솔루션.pdf 키워드 : 반도체,소자공학,Donald,A,Neamen,이진구,공역,반도체소자공학,:,반도체소자 - 반도체소자공학 솔루션 neaman - 반도체소자공학 솔루션 neaman - 반도체소자공학 솔루션 Donald A.Neaman - 반도체소자공학 neaman 솔루션 - 현대 반도체 소자공학 (저자 첸밍 후 (권기영 , 신형철 , 이종호 공역)) 솔루션 - an introduction to semiconductor device 반도체 소자 공학 솔루션 (인터비젼) (Donald A. Neamen) 1~12장 |
